TLV271IDR vs TLV2772QD Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von TLV271IDR und TLV2772QD bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
TLV271IDR

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7789 Stückzahl | Texas Instruments
TLV2772QD

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8823 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC-8
Beschreibung IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC,Texas Instruments
Series - Automotive, AEC-Q100
Part Status Active Active
Amplifier Type CMOS CMOS
Number of Circuits 1 2
Output Type Rail-to-Rail Rail-to-Rail
Slew Rate 2.6V/µs 10.5V/µs
Gain Bandwidth Product 3 MHz 5.1 MHz
Current - Input Bias 1 pA 2 pA
Voltage - Input Offset 500 µV 360 µV
Supply Current 625µA 1mA (x2 Channels)
Current - Output / Channel 8 mA 50 mA
Voltage - Supply Span(Min) 2.7 V 2.5 V
Voltage - Supply Span(Max) 16 V 5.5 V
Operating Temperature -40°C ~ 125°C -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : TLV271IDR TLV2772QD

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