TPS28225DR vs TPS2812DR

Dieser detaillierte Vergleich von TPS28225DR und TPS2812DR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
TPS28225DR

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7585 Stückzahl | Texas Instruments
TPS2812DR

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5871 Stückzahl | Texas Instruments
Paket
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Part Status Active Active
DigiKey Programmable Not Verified Not Verified
Driven Configuration Half-Bridge Low-Side
Channel Type Synchronous Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type MOSFET (N-Channel) MOSFET (N-Channel)
Voltage - Supply 4.5V ~ 8.8V 4V ~ 14V
Logic Voltage - VIL, VIH 0.8V, 2.1V 1V, 4V
Current - Peak Output (Source, Sink) 2A, 2A 2A, 2A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
Rise / Fall Time (Typ) 10ns, 10ns 14ns, 15ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number TPS28225 TPS2812
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 33 V -
Vergleichsmodell : TPS28225DR TPS2812DR

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