TPS28225DR vs TPS28226DR Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von TPS28225DR und TPS28226DR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status
Active
Active
Driven Configuration
Half-Bridge
Half-Bridge
Channel Type
Synchronous
Synchronous
Number of Drivers
2
2
Gate Type
MOSFET (N-Channel)
N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
4.5V ~ 8.8V
6.8V ~ 8.8V
Input Type
Non-Inverting
Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
-
33 V
Rise / Fall Time(Typ)
-
10ns, 10ns
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Base Product Number
TPS28225
-
Digi Key Programmable
Not Verified
-
Logic Voltage - VIL, VIH
0.8V, 2.1V
-
Current - Peak Output (Source, Sink)
2A, 2A
-
Rise / Fall Time (Typ)
10ns, 10ns
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)
33 V
-
