UCC27200DDAR vs UCC27200DR Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von UCC27200DR und UCC27200DDAR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR
Part Status
Active
Active
Driven Configuration
Half-Bridge
Half-Bridge
Channel Type
Independent
Independent
Number of Drivers
2
2
Gate Type
MOSFET (N-Channel)
N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
8V ~ 17V
8V ~ 17V
Logic Voltage - VILVIH
-
3V, 8V
Current - Peak Output(Source Sink)
-
3A, 3A
Input Type
Non-Inverting
Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
-
120 V
Rise / Fall Time(Typ)
-
8ns, 7ns
Operating Temperature
-40°C ~ 140°C (TJ)
-40°C ~ 140°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Base Product Number
UCC27200
-
Digi Key Programmable
Not Verified
-
Logic Voltage - VIL, VIH
3V, 8V
-
Current - Peak Output (Source, Sink)
3A, 3A
-
Rise / Fall Time (Typ)
8ns, 7ns
-
Packaging
Bulk, Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)
120 V
-
