UCC27425DR vs UCC27200D

Dieser detaillierte Vergleich von UCC27425DR und UCC27200D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
UCC27425DR

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5594 Stückzahl | Texas Instruments
UCC27200D

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7093 Stückzahl | Texas Instruments
Paket 8-SOIC SOIC (D)-8
Beschreibung IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC UCC27200 120V BOOT, 3-A PEAK, HI
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Low-Side -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType N-Channel, P-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 4V ~ 15V -
LogicVoltage-VILVIH 1V, 2V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 4A, 4A -
InputType Inverting, Non-Inverting -
Rise/FallTime(Typ) 20ns, 15ns -
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TA) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : UCC27425DR UCC27200D

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