ULN2804A vs ULN2804APG,N Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von ULN2804A und ULN2804APG,N bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
ULN2804A

+Stückliste

7678 Stückzahl | Onsemi
ULN2804APG,N

+Stückliste

6127 Stückzahl | Toshiba Halbleiter und Speicher
Paket DIP-18 DIP-18
Beschreibung POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN IC DRIVER 8/0 18DIP
Supplier - Toshiba Semiconductor and Storage
Part Status Obsolete Obsolete
Type - Driver
Number of Drivers/Receivers - 8/0
Mounting Type Through Hole Through Hole
Transistor Type 8 NPN Darlington -
Current - Collector(Ic)(Max) 500mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1.6V @ 500µA, 350mA -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 1000 @ 350mA, 2V -
Power - Max 2.25W -
Operating Temperature -20°C ~ 150°C (TJ) -
Vergleichsmodell : ULN2804A ULN2804APG,N

+Stückliste Anfrage