Abbildungen dienen nur als Referenz
1N8026-GA
+StücklisteDIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
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HerstellerGeneSiC Halbleiter
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Herstellerteil #1N8026-GA
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Datenblatt 1N8026-GA DataSheet
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Paket TO-257-3
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Auf Lager4813
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Originalproduktgarantie
Spezifikationen
| Attribut | Wert |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Tube |
| ProductStatus | Obsolete |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 8A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.6 V @ 2.5 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Capacitance@VrF | 237pF @ 1V, 1MHz |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | TO-257-3 |
| SupplierDevicePackage | TO-257 |
