Abbildungen dienen nur als Referenz
1N8032-GA
+StücklisteDIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
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HerstellerGeneSiC Halbleiter
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Herstellerteil #1N8032-GA
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Datenblatt 1N8032-GA DataSheet
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Paket TO-257-3
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Auf Lager3929
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Originalproduktgarantie
Spezifikationen
| Attribut | Wert |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Tube |
| ProductStatus | Obsolete |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 650 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 2.5A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.3 V @ 2.5 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 5 µA @ 650 V |
| Capacitance@VrF | 274pF @ 1V, 1MHz |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | TO-257-3 |
| SupplierDevicePackage | TO-257 |
