2N7635-GA

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2N7635-GA

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TRANS SJT 650V 4A TO257

  • HerstellerGeneSiC Halbleiter

  • Herstellerteil #2N7635-GA

  • Auf Lager8691

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Bulk
Part Status Obsolete
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4A (Tc) (165°C)
Rds On(Max) @ Id Vgs 415mOhm @ 4A
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 324 pF @ 35 V
Power Dissipation (Max) 47W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-257

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