APTGT50DA170T1G

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APTGT50DA170T1G

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IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1

  • HerstellerMicrosemi Corporation

  • Herstellerteil #APTGT50DA170T1G

  • Paket SP-1

  • Auf Lager6911

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Obsolete
IGBT Type Trench Field Stop
Configuration Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1700 V
Current - Collector(Ic)(Max) 75 A
Power - Max 312 W
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.4V @ 15V, 50A
Current - Collector Cutoff(Max) 250 µA
Input Capacitance(Cies) @ Vce 4.4 nF @ 25 V
Input Standard
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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