APTM100A13DG

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APTM100A13DG

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MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

  • HerstellerMikrochip-Technologie

  • Herstellerteil #APTM100A13DG

  • Paket SP-6

  • Auf Lager9045

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 65A
Rds On(Max) @ Id Vgs 156mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 6mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 562nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 15200pF @ 25V
Power - Max 1250W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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