APTM100A40FT1G

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APTM100A40FT1G

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MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1

  • HerstellerMicrosemi Corporation

  • Herstellerteil #APTM100A40FT1G

  • Paket SP-1

  • Auf Lager6710

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 21A
Rds On(Max) @ Id Vgs 480mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 305nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7868pF @ 25V
Power - Max 390W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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