APTM100H45FT3G

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APTM100H45FT3G

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MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

  • HerstellerMikrochip-Technologie

  • Herstellerteil #APTM100H45FT3G

  • Paket SP-3

  • Auf Lager6595

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type 4 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 18A
Rds On(Max) @ Id Vgs 540mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 154nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4350pF @ 25V
Power - Max 357W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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