APTM120H140FT1G

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APTM120H140FT1G

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MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

  • HerstellerMikrochip-Technologie

  • Herstellerteil #APTM120H140FT1G

  • Paket SP-1

  • Auf Lager9984

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type 4 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.68Ohm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 145nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3812pF @ 25V
Power - Max 208W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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