APTM120H57FT3G

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APTM120H57FT3G

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MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Obsolete
FET Type 4 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 17A
Rds On(Max) @ Id Vgs 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 187nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5155pF @ 25V
Power - Max 390W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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