APTMC120AM55CT1AG

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APTMC120AM55CT1AG

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MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1

  • HerstellerMikrochip-Technologie

  • Herstellerteil #APTMC120AM55CT1AG

  • Paket SP-1

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 55A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 49mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.2V @ 2mA (Typ)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 98nC @ 20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1900pF @ 1000V
Power - Max 250W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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