APTSM120AM55CT1AG

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APTSM120AM55CT1AG

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POWER MODULE - SIC

  • HerstellerMicrosemi Corporation

  • Herstellerteil #APTSM120AM55CT1AG

  • Paket SP-1

  • Auf Lager4510

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 74A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 2mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 272nC @ 20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5120pF @ 1000V
Power - Max 470W
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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