BSG0813NDIATMA1

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BSG0813NDIATMA1

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MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Bulk
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 19A, 33A
Rds On(Max) @ Id Vgs 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1100pF @ 12V
Power - Max 2.5W
Operating Temperature -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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