BSO612CVGHUMA1

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BSO612CVGHUMA1

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MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Bulk
Series SIPMOS®
ProductStatus Obsolete
FETType N and P-Channel
FETFeature Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3A, 2A
RdsOn(Max)@IdVgs 120mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 20µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 15.5nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 340pF @ 25V
Power-Max 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

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