BSO615CGHUMA1

Abbildungen dienen nur als Referenz

BSO615CGHUMA1

+Stückliste

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series SIPMOS®
ProductStatus Obsolete
FETType N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.1A, 2A
RdsOn(Max)@IdVgs 110mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 20µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 22.5nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 380pF @ 25V
Power-Max 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Produkte, die mit BSO615CGHUMA1 zusammenhängen

  • Schnellangebot

  • Senden Sie Ihre Angebotsanfrage für BSO615CGHUMA1 Mit diesem Formular können Sie uns innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.