ECH8601M-TL-H

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ECH8601M-TL-H

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MOSFET N-CH 24V 8A ECH8

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Ta)
Rds On(Max) @ Id Vgs 23mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.3V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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