ECH8602M-TL-H

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ECH8602M-TL-H

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MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Bulk
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 30mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Power - Max 1.5W
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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