EMF8T2R

Abbildungen dienen nur als Referenz

EMF8T2R

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TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

  • HerstellerRohm Halbleiter

  • Herstellerteil #EMF8T2R

  • Paket SOT-666

  • Auf Lager7717

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50V, 12V
Resistor - Base(R1) 47kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 47kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA
Frequency - Transition 250MHz, 320MHz
Power - Max 150mW
Mounting Type Surface Mount

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