FAM65HR51DS2

Abbildungen dienen nur als Referenz

FAM65HR51DS2

+Stückliste

IGBT MODULE 650V 33A 135W

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier onsemi
Package / Case Tube
Part Status Active
Configuration Half Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V
Current - Collector(Ic)(Max) 33 A
Power - Max 135 W
Input Capacitance(Cies) @ Vce 4.86 nF @ 400 V
Input Standard
NTC Thermistor No
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

Produkte, die mit FAM65HR51DS2 zusammenhängen

  • Schnellangebot

  • Senden Sie Ihre Angebotsanfrage für FAM65HR51DS2 Mit diesem Formular können Sie uns innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.