G3035

Abbildungen dienen nur als Referenz

G3035

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P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75

  • HerstellerGoford Halbleiter

  • Herstellerteil #G3035

  • Auf Lager47

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Goford Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.6A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 59mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 650 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 1.4W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23

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