Abbildungen dienen nur als Referenz
G4S06510QT
+StücklisteSIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
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HerstellerGlobal Power Technology Co., Ltd.
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Herstellerteil #G4S06510QT
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Datenblatt G4S06510QT DataSheet
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Paket 4-PowerTSFN
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Auf Lager3407
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Originalproduktgarantie
Spezifikationen
| Attribut | Wert |
| Supplier | Global Power Technology Co. Ltd |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 650 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 44.9A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 650 V |
| Capacitance@VrF | 550pF @ 0V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 4-PowerTSFN |
| SupplierDevicePackage | 4-DFN (8x8) |
