GA100JT12-227

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GA100JT12-227

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TRANS SJT 1200V 160A SOT227

365 Tage Qualitätsgarantie

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90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 160A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 10mOhm @ 100A
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 14400 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max) 535W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227

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