Abbildungen dienen nur als Referenz
GB05SLT12-252
+StücklisteDIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
-
HerstellerGeneSiC Halbleiter
-
Herstellerteil #GB05SLT12-252
-
Datenblatt GB05SLT12-252 DataSheet
-
Auf Lager9927
365 Tage Qualitätsgarantie
7*24 Stunden-Servicegarantie
90-Tage Kundendienstgarantie
Originalproduktgarantie
Spezifikationen
| Attribut | Wert |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Obsolete |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 5A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.8 V @ 2 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Capacitance@VrF | 260pF @ 1V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| SupplierDevicePackage | TO-252 |
