Abbildungen dienen nur als Referenz
GT10J312(Q)
+StücklisteIGBT 600V 10A 60W TO220SM
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HerstellerToshiba Halbleiter und Speicher
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Herstellerteil #GT10J312(Q)
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Paket TO-252-3
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Auf Lager8116
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Originalproduktgarantie
Spezifikationen
| Attribut | Wert |
| Supplier | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 600 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed(Icm) | 20 A |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Power - Max | 60 W |
| Input Type | Standard |
| Td(on / off) @ 25°C | 400ns/400ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200 ns |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
