Abbildungen dienen nur als Referenz
GT60N321(Q)
+StücklisteIGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
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HerstellerToshiba Halbleiter und Speicher
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Herstellerteil #GT60N321(Q)
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Paket TO-3PL
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Auf Lager4428
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Originalproduktgarantie
Spezifikationen
| Attribut | Wert |
| Supplier | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Package | Tube |
| ProductStatus | Obsolete |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 1000 V |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 60 A |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120 A |
| Vce(on)(Max)@VgeIc | 2.8V @ 15V, 60A |
| Power-Max | 170 W |
| InputType | Standard |
| Td(on/off)@25°C | 330ns/700ns |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 2.5 µs |
| OperatingTemperature | 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | TO-3PL |
