GT700P08T

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GT700P08T

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P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-

  • HerstellerGoford Halbleiter

  • Herstellerteil #GT700P08T

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Goford Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 72mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1639 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220

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