Abbildungen dienen nur als Referenz
IDC04S60CEX1SA1
+StücklisteDIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER
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HerstellerInfineon-Technologien
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Herstellerteil #IDC04S60CEX1SA1
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Datenblatt IDC04S60CEX1SA1 DataSheet
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Paket Die
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Auf Lager5808
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Originalproduktgarantie
Spezifikationen
| Attribut | Wert |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package | Bulk |
| Series | CoolSiC™+ |
| ProductStatus | Obsolete |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 600 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 4A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.9 V @ 4 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 600 V |
| Capacitance@VrF | 130pF @ 1V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | Die |
| SupplierDevicePackage | Die |
