IRF8915

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IRF8915

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MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

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90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Infineon Technologies
Package Tube
Series HEXFET®
ProductStatus Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 8.9A
RdsOn(Max)@IdVgs 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 7.4nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 540pF @ 10V
Power-Max 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

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