IRF9910TR

Abbildungen dienen nur als Referenz

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

  • HerstellerInfineon-Technologien

  • Herstellerteil #IRF9910TR

  • Paket SOIC-8

  • Auf Lager8716

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Infineon Technologies
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 10A, 12A
Rds On(Max) @ Id Vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 900pF @ 10V
Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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