IRF9953TR

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IRF9953TR

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MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Infineon Technologies
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 190pF @ 15V
Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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