IXFJ20N85X

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IXFJ20N85X

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MOSFET N-CH 850V 9.5A ISO TO247

  • HerstellerIXYS

  • Herstellerteil #IXFJ20N85X

  • Auf Lager9792

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Ultra X
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 850 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 9.5A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 360mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1660 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package ISO TO-247-3

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