IXFN32N120

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IXFN32N120

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MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

  • HerstellerIXYS

  • Herstellerteil #IXFN32N120

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier IXYS
Package / Case Box
Series HiPerFET™
Part Status Not For New Designs
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 32A
Rds On(Max) @ Id Vgs 350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 400 nC @ 10 V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 15900 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B

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