IXFN66N85X

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IXFN66N85X

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MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B

  • HerstellerIXYS

  • Herstellerteil #IXFN66N85X

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Ultra X
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 850 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 65A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 65mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 8900 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 830W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B

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