IXTA160N10T7

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IXTA160N10T7

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MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

  • HerstellerIXYS

  • Herstellerteil #IXTA160N10T7

  • Auf Lager8725

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series Trench
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 160A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 132 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 430W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263-7 (IXTA)

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