IXTN21N100

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IXTN21N100

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MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B

  • HerstellerIXYS

  • Herstellerteil #IXTN21N100

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series MegaMOS™
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 21A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 550mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 500µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 8400 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B

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