IXTP3N60P

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IXTP3N60P

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MOSFET N-CH 600V 3A TO220AB

  • HerstellerIXYS

  • Herstellerteil #IXTP3N60P

  • Auf Lager6793

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series PolarHV™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.5V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 411 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3

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