IXTT8P50

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IXTT8P50

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MOSFET P-CH 500V 8A TO268

  • HerstellerIXYS

  • Herstellerteil #IXTT8P50

  • Auf Lager8430

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.2Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-268AA

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