KPDA100P-H8-B

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KPDA100P-H8-B

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SI APD AVALANCHE PHOTODIODE 1000

  • HerstellerCEL

  • Herstellerteil #KPDA100P-H8-B

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier CEL
Package Bag
ProductStatus Active
Wavelength 780nm
SpectralRange 400nm ~ 1000nm
DiodeType Avalanche
Responsivity@nm 0.45 A/W @ 850nm
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 200 V
Current-Dark(Typ) 30pA
ActiveArea 1mm Dia
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C
MountingType Through Hole

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