MS2N5116

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MS2N5116

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JFET

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type P-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 30 V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 5 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 1 V @ 1 nA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 27pF @ 15V
Rds On 175 Ohms
Power - Max 500 mW
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

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