MSCSM120AM042T6AG

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MSCSM120AM042T6AG

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PM-MOSFET-SIC-SP6C

  • HerstellerMikrochip-Technologie

  • Herstellerteil #MSCSM120AM042T6AG

  • Paket Module

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type 2 N Channel (Phase Leg)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 495A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.2mOhm @ 240A, 20V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.8V @ 18mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1392nC @ 20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 18100pF @ 1000V
Power - Max 2.031kW (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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