NXH010P120MNF1PG

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NXH010P120MNF1PG

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PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier onsemi
Package Tray
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual) Common Source
FETFeature Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 114A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 14mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 4.3V @ 40mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 454nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4707pF @ 800V
Power-Max 250W (Tj)
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
Package/Case Module

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