Abbildungen dienen nur als Referenz
PDTD113EK,115
+StücklisteTRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
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HerstellerNXP USA Inc.
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Herstellerteil #PDTD113EK,115
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Datenblatt PDTD113EK,115 DataSheet
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Paket TO-236-3
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Auf Lager5758
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Originalproduktgarantie
Spezifikationen
| Attribut | Wert |
| Supplier | NXP USA Inc. |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| ProductStatus | Obsolete |
| TransistorType | NPN - Pre-Biased |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 500 mA |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 50 V |
| Resistor-Base(R1) | 1 kOhms |
| Resistor-EmitterBase(R2) | 1 kOhms |
| DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce | 33 @ 50mA, 5V |
| VceSaturation(Max)@IbIc | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current-CollectorCutoff(Max) | 500nA |
| Power-Max | 250 mW |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
