R5009FNX

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R5009FNX

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MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM

  • HerstellerRohm Halbleiter

  • Herstellerteil #R5009FNX

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 840mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 630 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220FM

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