R6020ANZFL1C8

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R6020ANZFL1C8

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MOSFET N-CH 600V 20A TO3

  • HerstellerRohm Halbleiter

  • Herstellerteil #R6020ANZFL1C8

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 220mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.15V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2040 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Operating Temperature 150°C
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-3PF

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