R6030MNX

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R6030MNX

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MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

  • HerstellerRohm Halbleiter

  • Herstellerteil #R6030MNX

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 150mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2180 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220FM

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